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  • AZ-991導(dǎo)電電阻率測(cè)試儀
    AZ-991導(dǎo)電電阻率測(cè)試儀

    導(dǎo)電電阻率測(cè)試儀在基本表的基礎(chǔ)上,通過(guò)增加控制轉(zhuǎn)換、輸入過(guò)流保護(hù),精密分流器、精密儀表放大器,實(shí)現(xiàn)直流電流(DC-μA.mA)的j確多量程測(cè)量。

    更新日期:2024-09-18型號(hào):AZ-991訪問(wèn)量:1349
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  • 方阻電阻率測(cè)試儀
    方阻電阻率測(cè)試儀

    方阻電阻率測(cè)試儀采用范德堡測(cè)量原理能解決樣品因幾何尺寸、邊界效應(yīng)、探針不等距和機(jī)械游移等外部因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響及誤差,提供通訊接口,PC軟件數(shù)據(jù)處理及數(shù)據(jù)分析.中文或英文語(yǔ)言版本.

    更新日期:2024-09-18型號(hào):訪問(wèn)量:2395
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  • AZ-991物體表面導(dǎo)電電阻率測(cè)試儀
    AZ-991物體表面導(dǎo)電電阻率測(cè)試儀

    物體表面導(dǎo)電電阻率測(cè)試儀在基本表的基礎(chǔ)上,通過(guò)增加控制轉(zhuǎn)換、輸入過(guò)流保護(hù),精密分流器、精密儀表放大器,實(shí)現(xiàn)直流電流(DC-μA.mA)的j確多量程測(cè)量。

    更新日期:2024-09-18型號(hào):AZ-991訪問(wèn)量:1340
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  • 四探針?lè)阶桦娮杪蕼y(cè)試儀
    四探針?lè)阶桦娮杪蕼y(cè)試儀

    四探針?lè)阶桦娮杪蕼y(cè)試儀采用范德堡測(cè)量原理能解決樣品因幾何尺寸、邊界效應(yīng)、探針不等距和機(jī)械游移等外部因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響及誤差,提供通訊接口,PC軟件數(shù)據(jù)處理及數(shù)據(jù)分析.中文或英文語(yǔ)言版本.硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)(ASTM F84)及國(guó)標(biāo)設(shè)計(jì)制造;GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā?

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  • LST系列高絕緣電阻率測(cè)試儀
    LST系列高絕緣電阻率測(cè)試儀

    高絕緣電阻率測(cè)試儀高性能全功能超高阻、微電流綜合測(cè)量?jī)x表,除了覆蓋LST-121的全部功能與用途外,其他特點(diǎn)與用途見(jiàn)上述專題介紹。

    更新日期:2024-09-18型號(hào):LST系列訪問(wèn)量:1515
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  • 四探針?lè)阶鑳x 方阻電阻率測(cè)試儀
    四探針?lè)阶鑳x 方阻電阻率測(cè)試儀

    四探針?lè)阶鑳x 方阻電阻率測(cè)試儀采用范德堡測(cè)量原理能解決樣品因幾何尺寸、邊界效應(yīng)、探針不等距和機(jī)械游移等外部因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響及誤差,提供通訊接口,PC軟件數(shù)據(jù)處理及數(shù)據(jù)分析.中文或英文語(yǔ)言版本.

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  • LST-331四探針?lè)阶桦娮杪蕼y(cè)試儀
    LST-331四探針?lè)阶桦娮杪蕼y(cè)試儀

    LST-331四探針?lè)阶桦娮杪蕼y(cè)試儀采用范德堡測(cè)量原理能解決樣品因幾何尺寸、邊界效應(yīng)、探針不等距和機(jī)械游移等外部因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響及誤差,提供通訊接口,PC軟件數(shù)據(jù)處理及數(shù)據(jù)分析.中文或英文語(yǔ)言版本.硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)(ASTM F84)及國(guó)標(biāo)設(shè)計(jì)制造;GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā?

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  • 絕緣材料表面體積電阻率測(cè)試儀
    絕緣材料表面體積電阻率測(cè)試儀

    絕緣材料表面體積電阻率測(cè)試儀LST-121超高測(cè)量范圍,量程達(dá)到0-2×1018Ω,取代指針式高阻計(jì)的*佳儀表。 LST-122 絕緣材料體積電阻和表面電阻率測(cè)定儀高性能全功能超高阻、微電流綜合測(cè)量?jī)x表,除了覆蓋LST-121的全部功能與用途外,

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